Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

RGTH00TS65GC11

RGTH00TS65GC11

Nur als Referenz

Teilenummer RGTH00TS65GC11
PNEDA Teilenummer RGTH00TS65GC11
Beschreibung IGBT 650V 85A 277W TO-247N
Hersteller Rohm Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 8.928
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

RGTH00TS65GC11 Ressourcen

Marke Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerRGTH00TS65GC11
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • RGTH00TS65GC11 Datasheet
  • where to find RGTH00TS65GC11
  • Rohm Semiconductor

  • Rohm Semiconductor RGTH00TS65GC11
  • RGTH00TS65GC11 PDF Datasheet
  • RGTH00TS65GC11 Stock

  • RGTH00TS65GC11 Pinout
  • Datasheet RGTH00TS65GC11
  • RGTH00TS65GC11 Supplier

  • Rohm Semiconductor Distributor
  • RGTH00TS65GC11 Price
  • RGTH00TS65GC11 Distributor

RGTH00TS65GC11 Technische Daten

HerstellerRohm Semiconductor
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)650V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)85A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)200A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 50A
Leistung - max277W
Schaltenergie-
EingabetypStandard
Gate Charge94nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.39ns/143ns
Testbedingung400V, 50A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247N

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IXGX75N250

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

2500V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

170A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

530A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.6V @ 15V, 150A

Leistung - max

780W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

410nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PLUS247™-3

HGTG20N60A4

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

280A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 20A

Leistung - max

290W

Schaltenergie

105µJ (on), 150µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

142nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

15ns/73ns

Testbedingung

390V, 20A, 3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

HGTG12N60B3

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

27A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

110A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 12A

Leistung - max

104W

Schaltenergie

150µJ (on), 250µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

51nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

26ns/150ns

Testbedingung

480V, 12A, 25Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

RGTV60TK65DGVC11

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

33A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 30A

Leistung - max

76W

Schaltenergie

570µJ (on), 500µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

64nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

33ns/105ns

Testbedingung

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

95ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3PFM, SC-93-3

Lieferantengerätepaket

TO-3PFM

IXEL40N400

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

4000V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

90A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

400A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 40A

Leistung - max

380W

Schaltenergie

55mJ (on), 165mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

275nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

160ns/630ns

Testbedingung

2800V, 40A, 33Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

ISOPLUSi5-Pak™

Lieferantengerätepaket

ISOPLUSi5-Pak™

Kürzlich verkauft

MT25QU128ABA8ESF-0SIT

MT25QU128ABA8ESF-0SIT

Micron Technology Inc.

IC FLASH 128M SPI 133MHZ 16SOP2

EX-11EB

EX-11EB

Panasonic Industrial Automation Sales

SENSOR THROUGH-BEAM 15CM NPN

SCT30N120

SCT30N120

STMicroelectronics

MOSFET N-CH 1200V 45A HIP247

LTC3854EMSE#PBF

LTC3854EMSE#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG CTRLR BUCK 12MSOP

RO-1212S

RO-1212S

Recom Power

DC DC CONVERTER 12V 1W

MC14066BDR2G

MC14066BDR2G

ON Semiconductor

IC MULTIPLEXER QUAD 4X1 14SOIC

SMCJ15A-13-F

SMCJ15A-13-F

Diodes Incorporated

TVS DIODE 15V 24.4V SMC

LTC4365IDDB#TRMPBF

LTC4365IDDB#TRMPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC OVERVOLTAGE PROTECT 8-DFN

MPX5010DP

MPX5010DP

NXP

SENSOR DIFF PRESS 1.45 PSI MAX

PFS7539H

PFS7539H

Power Integrations

IC PFC CTLR 1000W 180VAC 16ESIP

SMLVT3V3

SMLVT3V3

STMicroelectronics

TVS DIODE 3.3V 10.3V SMB

MAX232AEPE

MAX232AEPE

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16DIP