RGT8BM65DTL
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| Teilenummer | RGT8BM65DTL |
| PNEDA Teilenummer | RGT8BM65DTL |
| Beschreibung | IGBT 650V 8A 62W TO-252 |
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.658 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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RGT8BM65DTL Ressourcen
| Marke | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | RGT8BM65DTL |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
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RGT8BM65DTL Technische Daten
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 8A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 12A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 4A |
| Leistung - max | 62W |
| Schaltenergie | - |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 13.5nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 17ns/69ns |
| Testbedingung | 400V, 4A, 50Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 40ns |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Lieferantengerätepaket | TO-252 |
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Hersteller STMicroelectronics Serie M IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 30A Leistung - max 38W Schaltenergie 300µJ (on), 960µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 80nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 31.6ns/115ns Testbedingung 400V, 30A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 140ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220FP |
