RGP10DE-E3/91
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Teilenummer | RGP10DE-E3/91 |
PNEDA Teilenummer | RGP10DE-E3-91 |
Beschreibung | DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL |
Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 5.328 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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RGP10DE-E3/91 Ressourcen
Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | RGP10DE-E3/91 |
Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
Datenblatt |
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RGP10DE-E3/91 Technische Daten
Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
Serie | Automotive, AEC-Q101, Superectifier® |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 200V |
Current - Average Rectified (Io) | 1A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 1A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 150ns |
Strom - Umkehrleckage @ Vr | 5µA @ 200V |
Kapazität @ Vr, F. | 15pF @ 4V, 1MHz |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | DO-204AL, DO-41, Axial |
Lieferantengerätepaket | DO-204AL (DO-41) |
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -65°C ~ 175°C |
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Diodes Incorporated Hersteller Diodes Incorporated Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 100V Current - Average Rectified (Io) 2A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 790mV @ 2A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 100V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-214AC, SMA Lieferantengerätepaket SMA Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Microsemi Hersteller Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/585 Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 660V Current - Average Rectified (Io) 1.2A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.4V @ 1.2A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 30ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 500nA @ 660V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SQ-MELF, A Lieferantengerätepaket D-5A Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 150°C |
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Toshiba Semiconductor and Storage Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 30V Current - Average Rectified (Io) 2A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 450mV @ 2A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 100µA @ 30V Kapazität @ Vr, F. 82pF @ 10V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOD-128 Lieferantengerätepaket M-FLAT (2.4x3.8) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 150°C (Max) |
Vishay Semiconductor Diodes Division Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie SUPERECTIFIER® Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1000V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 1A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 500ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 1000V Kapazität @ Vr, F. 15pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-213AB, MELF (Glass) Lieferantengerätepaket DO-213AB Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 175°C |