RGF1MHE3_A/I
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| Teilenummer | RGF1MHE3_A/I |
| PNEDA Teilenummer | RGF1MHE3_A-I |
| Beschreibung | DIODE 1000V SMD |
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.722 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mär 24 - Mär 29 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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RGF1MHE3_A/I Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | RGF1MHE3_A/I |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
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RGF1MHE3_A/I Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| Diodentyp | - |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | - |
| Current - Average Rectified (Io) | - |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | - |
| Geschwindigkeit | - |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | - |
| Kapazität @ Vr, F. | - |
| Montagetyp | - |
| Paket / Fall | - |
| Lieferantengerätepaket | - |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | - |
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Hersteller Rohm Semiconductor Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 200V Current - Average Rectified (Io) 3A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 930mV @ 3A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 25ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 200V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket TO-252 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 150°C (Max) |
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