RGF1AHE3/67A
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| Teilenummer | RGF1AHE3/67A |
| PNEDA Teilenummer | RGF1AHE3-67A |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 50V 1A DO214BA |
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.426 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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RGF1AHE3/67A Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | RGF1AHE3/67A |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
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RGF1AHE3/67A Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | SUPERECTIFIER® |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 50V |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 1A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 150ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 5µA @ 50V |
| Kapazität @ Vr, F. | 8.5pF @ 4V, 1MHz |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | DO-214BA |
| Lieferantengerätepaket | DO-214BA (GF1) |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -65°C ~ 175°C |
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Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1000V Current - Average Rectified (Io) 3A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 3A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 75ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 1000V Kapazität @ Vr, F. 50pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-214AB, SMC Lieferantengerätepaket DO-214AB (SMC) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller IXYS Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1400V Current - Average Rectified (Io) 560A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 1200A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 30mA @ 1400V Kapazität @ Vr, F. 762pF @ 400V, 1MHz Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Y1-CU Lieferantengerätepaket Y1-CU Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |
Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 100V Current - Average Rectified (Io) 60A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 840mV @ 60A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 5mA @ 20V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis, Stud Mount Paket / Fall DO-203AB, DO-5, Stud Lieferantengerätepaket DO-5 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 150°C |
Hersteller Microsemi Corporation Serie * Diodentyp - Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) - Current - Average Rectified (Io) - Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If - Geschwindigkeit - Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr - Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 60V Current - Average Rectified (Io) 3A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 750mV @ 3A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 500µA @ 60V Kapazität @ Vr, F. 300pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-214AB, SMC Lieferantengerätepaket SMC Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 150°C |
