RGF1AHE3/67A
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Teilenummer | RGF1AHE3/67A |
PNEDA Teilenummer | RGF1AHE3-67A |
Beschreibung | DIODE GEN PURP 50V 1A DO214BA |
Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 6.426 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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RGF1AHE3/67A Ressourcen
Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | RGF1AHE3/67A |
Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
Datenblatt |
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RGF1AHE3/67A Technische Daten
Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
Serie | SUPERECTIFIER® |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 50V |
Current - Average Rectified (Io) | 1A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 1A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 150ns |
Strom - Umkehrleckage @ Vr | 5µA @ 50V |
Kapazität @ Vr, F. | 8.5pF @ 4V, 1MHz |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | DO-214BA |
Lieferantengerätepaket | DO-214BA (GF1) |
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -65°C ~ 175°C |
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Microsemi Hersteller Microsemi Corporation Serie * Diodentyp - Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) - Current - Average Rectified (Io) - Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If - Geschwindigkeit - Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr - Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |
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IXYS Hersteller IXYS Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1400V Current - Average Rectified (Io) 560A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 1200A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 30mA @ 1400V Kapazität @ Vr, F. 762pF @ 400V, 1MHz Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Y1-CU Lieferantengerätepaket Y1-CU Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |