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RFUH10NS6STL

RFUH10NS6STL

Nur als Referenz

Teilenummer RFUH10NS6STL
PNEDA Teilenummer RFUH10NS6STL
Beschreibung DIODE GEN PURP 600V 10A LPDS
Hersteller Rohm Semiconductor
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RFUH10NS6STL Ressourcen

Marke Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerRFUH10NS6STL
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
RFUH10NS6STL, RFUH10NS6STL Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 471,24 KB)
PDFRFUH10NS6STL Datenblatt Cover
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RFUH10NS6STL Technische Daten

HerstellerRohm Semiconductor
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)600V
Current - Average Rectified (Io)10A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If2.8V @ 10A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)25ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr10µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
LieferantengerätepaketLPDS
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle150°C (Max)

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Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

150V

Current - Average Rectified (Io)

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.36V @ 15A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

200µA @ 150V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-2

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TO-220AC

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

MBRS360BT3G

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

60V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

630mV @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

30µA @ 60V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AA, SMB

Lieferantengerätepaket

SMB

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

XBS024S15R-G

Torex Semiconductor Ltd

Hersteller

Torex Semiconductor Ltd

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

40V

Current - Average Rectified (Io)

200mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

600mV @ 200mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

4ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

2µA @ 40V

Kapazität @ Vr, F.

5pF @ 10V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

SOD-523

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

125°C (Max)

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Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

FRED Pt®

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

12A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

2.5V @ 12A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

TO-252, (D-Pak)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

SS32 V6G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

20V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500µA @ 20V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AB, SMC

Lieferantengerätepaket

DO-214AB (SMC)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 125°C

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