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RDS80810XX

RDS80810XX

Nur als Referenz

Teilenummer RDS80810XX
PNEDA Teilenummer RDS80810XX
Beschreibung DIODE GEN PURP 800V 10000A
Hersteller Powerex Inc.
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Auf Lager 7.452
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 6 - Jan 11 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

RDS80810XX Ressourcen

Marke Powerex Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerRDS80810XX
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
RDS80810XX, RDS80810XX Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 201,92 KB)
PDFRDS81210XX Datenblatt Cover
RDS81210XX Datenblatt Seite 2 RDS81210XX Datenblatt Seite 3 RDS81210XX Datenblatt Seite 4

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RDS80810XX Technische Daten

HerstellerPowerex Inc.
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)800V
Current - Average Rectified (Io)10000A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If750mV @ 4000A
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)25µs
Strom - Umkehrleckage @ Vr300mA @ 800V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall-
Lieferantengerätepaket-
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 2A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

2µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AL, DO-41, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-41

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 175°C

SL22HE3_A/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

20V

Current - Average Rectified (Io)

2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

395mV @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

400µA @ 20V

Kapazität @ Vr, F.

50pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AA, SMB

Lieferantengerätepaket

DO-214AA (SMB)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 125°C

BY228GPHE3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

SUPERECTIFIER®

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1500V

Current - Average Rectified (Io)

2.5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.6V @ 2.5A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

20µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 1500V

Kapazität @ Vr, F.

40pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-201AD, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-201AD

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

JANTX1N3912

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/308

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

300V

Current - Average Rectified (Io)

50A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.4V @ 50A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

200ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

15µA @ 300V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis, Stud Mount

Paket / Fall

DO-203AB, DO-5, Stud

Lieferantengerätepaket

DO-203AB (DO-5)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

MBRA140T3G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

40V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

550mV @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500µA @ 40V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AC, SMA

Lieferantengerätepaket

SMA

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 125°C

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