RDD050N20TL
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| Teilenummer | RDD050N20TL |
| PNEDA Teilenummer | RDD050N20TL |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 200V 5A CPT3 |
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
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| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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RDD050N20TL Ressourcen
| Marke | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | RDD050N20TL |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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RDD050N20TL Technische Daten
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 5A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 720mOhm @ 2.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.3nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 292pF @ 10V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 20W (Tc) |
| Betriebstemperatur | - |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | CPT3 |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 2.8A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 115mOhm @ 2.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.1nC @ 5V Vgs (Max) ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 250pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1W (Ta), 2.1W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SOT-23-3 (TO-236) Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 110A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 240nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9200pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 3.75W (Ta), 272W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket TO-263 (D2Pak) Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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Hersteller ON Semiconductor Serie QFET® FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 36A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 105nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3320pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 294W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-3PN Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 |
