RD3L08BGNTL
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Teilenummer | RD3L08BGNTL |
PNEDA Teilenummer | RD3L08BGNTL |
Beschreibung | RD3L08BGN IS A POWER MOSFET, SUI |
Hersteller | Rohm Semiconductor |
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Auf Lager | 21.240 |
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RD3L08BGNTL Ressourcen
Marke | Rohm Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | RD3L08BGNTL |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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RD3L08BGNTL Technische Daten
Hersteller | Rohm Semiconductor |
Serie | - |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 80A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 100µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 71nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3620pF @ 30V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 119W (Tc) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | TO-252 |
Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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