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RB520S-30TE61

RB520S-30TE61

Nur als Referenz

Teilenummer RB520S-30TE61
PNEDA Teilenummer RB520S-30TE61
Beschreibung DIODE SCHOTTKY 30V 200MA EMD2
Hersteller Rohm Semiconductor
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Auf Lager 1.204.206
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

RB520S-30TE61 Ressourcen

Marke Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerRB520S-30TE61
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
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RB520S-30TE61 Technische Daten

HerstellerRohm Semiconductor
Serie-
DiodentypSchottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)30V
Current - Average Rectified (Io)200mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If600mV @ 200mA
GeschwindigkeitSmall Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr1µA @ 10V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-79, SOD-523
LieferantengerätepaketEMD2
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle125°C (Max)

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Hersteller

Littelfuse Inc.

Serie

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Diodentyp

Silicon Carbide Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1200V

Current - Average Rectified (Io)

28A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.8V @ 10A

Geschwindigkeit

No Recovery Time > 500mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

0ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 1200V

Kapazität @ Vr, F.

582pF @ 1V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-2

Lieferantengerätepaket

TO-220-2

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

ES2D/1

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

900mV @ 2A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

30ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AA, SMB

Lieferantengerätepaket

DO-214AA (SMB)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

GP2D015A120A

Global Power Technologies Group

Hersteller

Global Power Technologies Group

Serie

Amp+™

Diodentyp

Silicon Carbide Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1200V

Current - Average Rectified (Io)

50A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.8V @ 15A

Geschwindigkeit

No Recovery Time > 500mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

30µA @ 1200V

Kapazität @ Vr, F.

952pF @ 1V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-2

Lieferantengerätepaket

TO-220-2

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

FDH700_T50R

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

20V

Current - Average Rectified (Io)

150mA (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.25V @ 50mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

900ps

Strom - Umkehrleckage @ Vr

50nA @ 20V

Kapazität @ Vr, F.

1.5pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AH, DO-35, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-35

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

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Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 5A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

40pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AA, SMB

Lieferantengerätepaket

DO-214AA (SMB)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

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