RB511SM-30FHT2R
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| Teilenummer | RB511SM-30FHT2R |
| PNEDA Teilenummer | RB511SM-30FHT2R |
| Beschreibung | RB511SM-30FH IS THE HIGH RELIABI |
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.158 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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RB511SM-30FHT2R Ressourcen
| Marke | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | RB511SM-30FHT2R |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
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RB511SM-30FHT2R Technische Daten
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Diodentyp | Schottky |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 30V |
| Current - Average Rectified (Io) | 100mA |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 370mV @ 10mA |
| Geschwindigkeit | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 7µA @ 10V |
| Kapazität @ Vr, F. | - |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SC-79, SOD-523 |
| Lieferantengerätepaket | EMD2 |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | 125°C (Max) |
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Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie eSMP® Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 100V Current - Average Rectified (Io) 4A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 4A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 2.5µs Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 100V Kapazität @ Vr, F. 30pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-277, 3-PowerDFN Lieferantengerätepaket TO-277A (SMPC) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Nexperia USA Inc. Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 30V Current - Average Rectified (Io) 200mA (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 800mV @ 100mA Geschwindigkeit Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr) 4ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 2µA @ 25V Kapazität @ Vr, F. 10pF @ 1V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall DO-204AG, DO-34, Axial Lieferantengerätepaket DO-34 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 125°C (Max) |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 100V Current - Average Rectified (Io) 6A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 900mV @ 6A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 2.5µs Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 100V Kapazität @ Vr, F. 150pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall P600, Axial Lieferantengerätepaket P600 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -50°C ~ 150°C |
Hersteller Sanken Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 400V Current - Average Rectified (Io) 1.2A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.8V @ 1.5A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 100ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 500µA @ 400V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall Axial Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 150°C |
Hersteller Microsemi Corporation Serie * Diodentyp - Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) - Current - Average Rectified (Io) - Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If - Geschwindigkeit - Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr - Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |
