RB051M-2YTR
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| Teilenummer | RB051M-2YTR |
| PNEDA Teilenummer | RB051M-2YTR |
| Beschreibung | DIODE SCHOTTKY 20V 3A PMDU |
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.326 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 8 - Feb 13 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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RB051M-2YTR Ressourcen
| Marke | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | RB051M-2YTR |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
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RB051M-2YTR Technische Daten
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| Diodentyp | Schottky |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 20V |
| Current - Average Rectified (Io) | 3A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 460mV @ 3A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 900µA @ 20V |
| Kapazität @ Vr, F. | - |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOD-123F |
| Lieferantengerätepaket | PMDU |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | 125°C (Max) |
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Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 30V Current - Average Rectified (Io) 3.5A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 450mV @ 3A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 2mA @ 30V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket D-PAK (TO-252AA) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 150°C |
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie Automotive, AEC-Q101 Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 400V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 1A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 1.8µs Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 400V Kapazität @ Vr, F. 9pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-219AB Lieferantengerätepaket Sub SMA Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie eSMP®, TMBS® Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 45V Current - Average Rectified (Io) 4.8A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 400mV @ 5A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 1.5mA @ 45V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-277, 3-PowerDFN Lieferantengerätepaket TO-277A (SMPC) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 150°C |
Hersteller Infineon Technologies Serie CoolSiC™+ Diodentyp Silicon Carbide Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 650V Current - Average Rectified (Io) 10A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 10A Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 0ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 180µA @ 650V Kapazität @ Vr, F. 300pF @ 1V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-2 Lieferantengerätepaket PG-TO220-2-1 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
Hersteller Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/429 Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 400V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.6V @ 3A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 150ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 500µA @ 400V Kapazität @ Vr, F. 35pF @ 12V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SQ-MELF, A Lieferantengerätepaket D-5A Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 175°C |
