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R7S01212XX

R7S01212XX

Nur als Referenz

Teilenummer R7S01212XX
PNEDA Teilenummer R7S01212XX
Beschreibung DIODE GP 1.2KV 1200A DO200AA R62
Hersteller Powerex Inc.
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Auf Lager 2.232
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 5 - Nov 10 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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R7S01212XX Ressourcen

Marke Powerex Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerR7S01212XX
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
R7S01212XX, R7S01212XX Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 163,98 KB)
PDFR7S02212XX Datenblatt Cover
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R7S01212XX Technische Daten

HerstellerPowerex Inc.
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)1200V
Current - Average Rectified (Io)1200A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.6V @ 1500A
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)10µs
Strom - Umkehrleckage @ Vr50mA @ 1200V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypChassis Mount
Paket / FallDO-200AA, A-PUK
LieferantengerätepaketDO-200AA, R62
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Silicon Carbide Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

650V

Current - Average Rectified (Io)

2.15A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.5V @ 2.15A

Geschwindigkeit

No Recovery Time > 500mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

0ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10.8µA @ 650V

Kapazität @ Vr, F.

110pF @ 1V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

LPTL

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

175°C (Max)

MBR140ESFT1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

40V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

560mV @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

30µA @ 40V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOD-123F

Lieferantengerätepaket

SOD-123FL

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

JAN1N6625US

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/585

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1100V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.75V @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

60ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1µA @ 1100V

Kapazität @ Vr, F.

10pF @ 10V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SQ-MELF, A

Lieferantengerätepaket

D-5A

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

FSM15PL-TP

Micro Commercial Co

Hersteller

Micro Commercial Co

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 1A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

500ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

15pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOD-123F

Lieferantengerätepaket

SOD-123FL

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

FFSP0665A

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Silicon Carbide Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

650V

Current - Average Rectified (Io)

8.8A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.75V @ 6A

Geschwindigkeit

No Recovery Time > 500mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

0ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

200µA @ 650V

Kapazität @ Vr, F.

361pF @ 1V, 100kHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-2

Lieferantengerätepaket

TO-220-2L

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

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