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R7000603XXUA

R7000603XXUA

Nur als Referenz

Teilenummer R7000603XXUA
PNEDA Teilenummer R7000603XXUA
Beschreibung DIODE GEN PURP 600V 300A DO200AA
Hersteller Powerex Inc.
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Auf Lager 4.482
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R7000603XXUA Ressourcen

Marke Powerex Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerR7000603XXUA
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
R7000603XXUA, R7000603XXUA Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 788,6 KB)
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R7000603XXUA Technische Daten

HerstellerPowerex Inc.
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)600V
Current - Average Rectified (Io)300A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If2.15V @ 1500A
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)9µs
Strom - Umkehrleckage @ Vr50mA @ 600V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypChassis, Stud Mount
Paket / FallDO-200AA, A-PUK
LieferantengerätepaketDO-200AA, R62
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-65°C ~ 200°C

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Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

50V

Current - Average Rectified (Io)

2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 2A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 50V

Kapazität @ Vr, F.

50pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AA, SMB

Lieferantengerätepaket

DO-214AA (SMB)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

DSEP30-03A

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFRED™

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

300V

Current - Average Rectified (Io)

30A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.55V @ 30A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

25ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

250µA @ 300V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-2

Lieferantengerätepaket

TO-247AD

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

MPG06J-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

600ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

10pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

MPG06, Axial

Lieferantengerätepaket

MPG06

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

VS-40HFLR10S02

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard, Reverse Polarity

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

40A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.95V @ 40A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

200ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis, Stud Mount

Paket / Fall

DO-203AB, DO-5, Stud

Lieferantengerätepaket

DO-203AB

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 125°C

IDH08G120C5XKSA1

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolSiC™+

Diodentyp

Silicon Carbide Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1200V

Current - Average Rectified (Io)

8A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.95V @ 8A

Geschwindigkeit

No Recovery Time > 500mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

0ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

40µA @ 1200V

Kapazität @ Vr, F.

365pF @ 1V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-2

Lieferantengerätepaket

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Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

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