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R6200640XXOO

R6200640XXOO

Nur als Referenz

Teilenummer R6200640XXOO
PNEDA Teilenummer R6200640XXOO
Beschreibung DIODE GP 600V 400A DO200AA R62
Hersteller Powerex Inc.
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Auf Lager 6.192
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 11 - Jan 16 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

R6200640XXOO Ressourcen

Marke Powerex Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerR6200640XXOO
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
R6200640XXOO, R6200640XXOO Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 902,81 KB)
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R6200640XXOO Technische Daten

HerstellerPowerex Inc.
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)600V
Current - Average Rectified (Io)400A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.5V @ 800A
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)9µs
Strom - Umkehrleckage @ Vr50mA @ 600V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypChassis Mount
Paket / FallDO-200AA, A-PUK
LieferantengerätepaketDO-200AA, R62
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

1.5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 1.5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

150ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

10pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AA, SMB

Lieferantengerätepaket

DO-214AA (SMB)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

FR6BR02

GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Standard, Reverse Polarity

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

6A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.4V @ 6A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

200ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

25µA @ 50V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis, Stud Mount

Paket / Fall

DO-203AA, DO-4, Stud

Lieferantengerätepaket

DO-4

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

ES2GHE3/52T

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

400V

Current - Average Rectified (Io)

2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 2A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 400V

Kapazität @ Vr, F.

15pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AA, SMB

Lieferantengerätepaket

DO-214AA (SMB)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

R4220

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

125A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.2V @ 200A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

50µA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Stud Mount

Paket / Fall

DO-205AA, DO-8, Stud

Lieferantengerätepaket

DO-205AA (DO-8)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 200°C

IDW30G65C5XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolSiC™+

Diodentyp

Silicon Carbide Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

650V

Current - Average Rectified (Io)

30A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 30A

Geschwindigkeit

No Recovery Time > 500mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

0ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

220µA @ 650V

Kapazität @ Vr, F.

860pF @ 1V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

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