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R6200630XXOO

R6200630XXOO

Nur als Referenz

Teilenummer R6200630XXOO
PNEDA Teilenummer R6200630XXOO
Beschreibung DIODE GP 600V 300A DO200AA R62
Hersteller Powerex Inc.
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Auf Lager 3.960
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

R6200630XXOO Ressourcen

Marke Powerex Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerR6200630XXOO
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
R6200630XXOO, R6200630XXOO Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 902,81 KB)
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R6200630XXOO Technische Daten

HerstellerPowerex Inc.
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)600V
Current - Average Rectified (Io)300A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.7V @ 800A
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)6µs
Strom - Umkehrleckage @ Vr50mA @ 600V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypChassis Mount
Paket / FallDO-200AA, A-PUK
LieferantengerätepaketDO-200AA, R62
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

60V

Current - Average Rectified (Io)

7.5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

750mV @ 7.5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500µA @ 60V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-2

Lieferantengerätepaket

TO-220AC

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

VS-8TQ100STRRPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

8A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

720mV @ 8A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

550µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

500pF @ 5V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

RSFJLHMTG

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

500mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 500mA

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

250ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

4pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-219AB

Lieferantengerätepaket

Sub SMA

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

IDP04E120

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1200V

Current - Average Rectified (Io)

11.2A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

2.15V @ 4A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

115ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 1200V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-2

Lieferantengerätepaket

PG-TO220-2-2

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

APT10SCD120K

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Diodentyp

Silicon Carbide Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1200V

Current - Average Rectified (Io)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.5V @ 10A

Geschwindigkeit

No Recovery Time > 500mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

0ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

-

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-2

Lieferantengerätepaket

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Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-

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