R6007JND3TL1
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| Teilenummer | R6007JND3TL1 |
| PNEDA Teilenummer | R6007JND3TL1 |
| Beschreibung | R6007JND3 IS A POWER MOSFET WITH |
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
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R6007JND3TL1 Ressourcen
| Marke | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | R6007JND3TL1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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R6007JND3TL1 Technische Daten
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 7A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 780mOhm @ 3.5A, 15V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 7V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17.5nC @ 15V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 475pF @ 100V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 96W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | TO-252 |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 13.5A (Ta), 39A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17.8nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 770pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 3.1W (Ta), 26W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-DFN (3x3) Paket / Fall 8-PowerVDFN |
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 34A (Ta), 50A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.8mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3120pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 6.2W (Ta), 83W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-DFN-EP (3.3x3.3) Paket / Fall 8-PowerWDFN |
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