R6004ENJTL
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| Teilenummer | R6004ENJTL |
| PNEDA Teilenummer | R6004ENJTL |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 4A LPT |
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.118 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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R6004ENJTL Ressourcen
| Marke | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | R6004ENJTL |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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R6004ENJTL Technische Daten
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 4A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 980mOhm @ 1.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 250pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 40W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | LPTS (D2PAK) |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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Hersteller Infineon Technologies Serie SIPMOS® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 120mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 0V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 45Ohm @ 120mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 94µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.9nC @ 5V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 146pF @ 25V FET-Funktion Depletion Mode Verlustleistung (max.) 1.8W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PG-SOT223-4 Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA |
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