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R6002425XXYA

R6002425XXYA

Nur als Referenz

Teilenummer R6002425XXYA
PNEDA Teilenummer R6002425XXYA
Beschreibung DIODE GEN PURP 2.4KV 250A DO205
Hersteller Powerex Inc.
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Auf Lager 7.686
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R6002425XXYA Ressourcen

Marke Powerex Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerR6002425XXYA
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
R6002425XXYA, R6002425XXYA Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 706,04 KB)
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R6002425XXYA Technische Daten

HerstellerPowerex Inc.
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)2400V
Current - Average Rectified (Io)250A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.5V @ 800A
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)11µs
Strom - Umkehrleckage @ Vr50mA @ 2400V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypChassis, Stud Mount
Paket / FallDO-205AB, DO-9, Stud
LieferantengerätepaketDO-205AB, DO-9
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-65°C ~ 175°C

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Hersteller

IXYS

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

250V

Current - Average Rectified (Io)

5.4A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.6V @ 2A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

700µA @ 250V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

TO-252AA

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 175°C

UF1KHR1G

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

800V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

75ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 800V

Kapazität @ Vr, F.

17pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AL, DO-41, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-204AL (DO-41)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

APT30SCD120S

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Diodentyp

Silicon Carbide Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1200V

Current - Average Rectified (Io)

99A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.8V @ 30A

Geschwindigkeit

No Recovery Time > 500mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

0ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

600µA @ 1200V

Kapazität @ Vr, F.

2100pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Lieferantengerätepaket

D3Pak

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

MUR440-M3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

400V

Current - Average Rectified (Io)

4A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.28V @ 4A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

75ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 400V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-201AD, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-201AD

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

SIDC81D120E6X1SA4

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1200V

Current - Average Rectified (Io)

100A (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.9V @ 100A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

27µA @ 1200V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Die

Lieferantengerätepaket

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Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

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