R5205CNDTL
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| Teilenummer | R5205CNDTL |
| PNEDA Teilenummer | R5205CNDTL |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 10V DRIVE CPT |
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.290 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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R5205CNDTL Ressourcen
| Marke | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | R5205CNDTL |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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R5205CNDTL Technische Daten
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 525V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 5A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6Ohm @ 2.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.8nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 320pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 40W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | CPT3 |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4.6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 2.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 390pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta), 40W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket D-Pak Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 170A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.6V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 280nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 15800pF @ 20V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 90W (Tc) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket D²PAK (TO-263) Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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