R5016ANJTL
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| Teilenummer | R5016ANJTL |
| PNEDA Teilenummer | R5016ANJTL |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS |
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.904 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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R5016ANJTL Ressourcen
| Marke | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | R5016ANJTL |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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R5016ANJTL Technische Daten
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 16A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270mOhm @ 8A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1800pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 100W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | LPTS |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 18A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 68mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16.4nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 870pF @ 30V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 42W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220 Paket / Fall TO-220-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie QFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3.6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.3Ohm @ 1.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 790pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 42W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220F Paket / Fall TO-220-3 Full Pack |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 50A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 22.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 3mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 150nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6800pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 290W (Tc) Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Lieferantengerätepaket SOT-227 Paket / Fall SOT-227-4, miniBLOC |
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