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R1LV0108ESA-5SR#S0

R1LV0108ESA-5SR#S0

Nur als Referenz

Teilenummer R1LV0108ESA-5SR#S0
PNEDA Teilenummer R1LV0108ESA-5SR-S0
Beschreibung IC SRAM 1MBIT 55NS 32STSOP
Hersteller Renesas Electronics America
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Auf Lager 6.174
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

R1LV0108ESA-5SR#S0 Ressourcen

Marke Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerR1LV0108ESA-5SR#S0
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
R1LV0108ESA-5SR#S0, R1LV0108ESA-5SR#S0 Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 190,73 KB)
PDFR1LV0108ESN-7SR#S0 Datenblatt Cover
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R1LV0108ESA-5SR#S0 Technische Daten

HerstellerRenesas Electronics America
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM
Speichergröße1Mb (128K x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite55ns
Zugriffszeit55ns
Spannung - Versorgung2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall32-TFSOP (0.465", 11.80mm Width)
Lieferantengerätepaket32-sTSOP

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Speicherformat

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

55ns

Zugriffszeit

55ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

8Kb (1K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

10MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

64Kb (8K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

25ns

Zugriffszeit

25ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

SDRAM - Mobile LPSDR

Speichergröße

128Mb (8M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

125MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

7ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

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Serie

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Speichertyp

Volatile

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Speicherschnittstelle

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Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

12ns

Zugriffszeit

12ns

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

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