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R1LP5256ESP-5SI#B0

R1LP5256ESP-5SI#B0

Nur als Referenz

Teilenummer R1LP5256ESP-5SI#B0
PNEDA Teilenummer R1LP5256ESP-5SI-B0
Beschreibung IC SRAM 256K PARALLEL 28SOP
Hersteller Renesas Electronics America
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Auf Lager 4.230
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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R1LP5256ESP-5SI#B0 Ressourcen

Marke Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerR1LP5256ESP-5SI#B0
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
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R1LP5256ESP-5SI#B0 Technische Daten

HerstellerRenesas Electronics America
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM
Speichergröße256Kb (32K x 8)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite55ns
Zugriffszeit55ns
Spannung - Versorgung4.5V ~ 5.5V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall28-SOIC (0.330", 8.40mm Width)
Lieferantengerätepaket28-SOP

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15ns

Zugriffszeit

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Betriebstemperatur

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Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

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Zugriffszeit

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

133MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

6.0ns

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

PSRAM

Technologie

PSRAM (Pseudo SRAM)

Speichergröße

4Mb (256K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

55ns

Zugriffszeit

55ns

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

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Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

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