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QT4502

QT4502

Nur als Referenz

Teilenummer QT4502
PNEDA Teilenummer QT4502
Beschreibung 8 PIN 1 MBITS HIGH SPEED PHOTOTR
Hersteller QT Brightek (QTB)
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Auf Lager 5.292
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

QT4502 Ressourcen

Marke QT Brightek (QTB)
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerQT4502
KategorieHalbleiterIsolatorenOptoisolatoren - Transistor, Photovoltaik-Ausgang
Datenblatt
QT4502, QT4502 Datenblatt (Total Pages: 20, Größe: 1.848,58 KB)
PDFQT4503 Datenblatt Cover
QT4503 Datenblatt Seite 2 QT4503 Datenblatt Seite 3 QT4503 Datenblatt Seite 4 QT4503 Datenblatt Seite 5 QT4503 Datenblatt Seite 6 QT4503 Datenblatt Seite 7 QT4503 Datenblatt Seite 8 QT4503 Datenblatt Seite 9 QT4503 Datenblatt Seite 10 QT4503 Datenblatt Seite 11

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QT4502 Technische Daten

HerstellerQT Brightek (QTB)
Serie-
Anzahl der Kanäle1
Spannungsisolation5000Vrms
Stromübertragungsverhältnis (min)19% @ 16mA
Stromübertragungsverhältnis (max.)50% @ 16mA
Ein- / Ausschaltzeit (Typ)350ns, 350ns
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)-
EingabetypDC
AusgabetypTransistor with Base
Spannung - Ausgang (max.)20V
Strom - Ausgang / Kanal8mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)1.45V
Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)25mA
Vce-Sättigung (max.)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 100°C
MontagetypThrough Hole
Paket / Fall8-DIP (0.300", 7.62mm)
Lieferantengerätepaket8-DIP

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

CEL

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

2500Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

80% @ 5mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

600% @ 5mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

6µs, 5µs

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

3µs, 5µs

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor

Spannung - Ausgang (max.)

80V

Strom - Ausgang / Kanal

50mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.1V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

50mA

Vce-Sättigung (max.)

300mV

Betriebstemperatur

-55°C ~ 100°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

4-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

4-SSOP

TLP184(GB-TPR,E)

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

3750Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

100% @ 5mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

400% @ 5mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

9µs, 9µs

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

5µs, 9µs

Eingabetyp

AC, DC

Ausgabetyp

Transistor

Spannung - Ausgang (max.)

80V

Strom - Ausgang / Kanal

50mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.25V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

50mA

Vce-Sättigung (max.)

300mV

Betriebstemperatur

-55°C ~ 125°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 4 Leads

Lieferantengerätepaket

6-SO, 4 Lead

ILD621

Vishay Semiconductor Opto Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Opto Division

Serie

-

Anzahl der Kanäle

2

Spannungsisolation

5300Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

50% @ 5mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

600% @ 5mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

3µs, 2.3µs

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

2µs, 2µs

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor

Spannung - Ausgang (max.)

70V

Strom - Ausgang / Kanal

50mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.15V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

60mA

Vce-Sättigung (max.)

400mV

Betriebstemperatur

-55°C ~ 100°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

8-DIP

MCT2ETM

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

7500Vpk

Stromübertragungsverhältnis (min)

20% @ 10mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

-

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

2µs, 2µs

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

2µs, 1.5µs

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor with Base

Spannung - Ausgang (max.)

30V

Strom - Ausgang / Kanal

50mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.25V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

60mA

Vce-Sättigung (max.)

400mV

Betriebstemperatur

-40°C ~ 100°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

6-DIP (0.400", 10.16mm)

Lieferantengerätepaket

6-DIP

HCPL-655K

Broadcom

Hersteller

Broadcom Limited

Serie

-

Anzahl der Kanäle

4

Spannungsisolation

1500VDC

Stromübertragungsverhältnis (min)

9% @ 16mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

-

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

400ns, 1µs

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

-

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor with Base

Spannung - Ausgang (max.)

20V

Strom - Ausgang / Kanal

8mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.55V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

20mA

Vce-Sättigung (max.)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 125°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

16-Flatpack

Lieferantengerätepaket

16-Flatpack

Kürzlich verkauft

1N4007-TP

1N4007-TP

Micro Commercial Co

DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41

ADM3252EABCZ

ADM3252EABCZ

Analog Devices

DGTL ISO 2.5KV 4CH RS232 44BGA

VNQ600

VNQ600

STMicroelectronics

RELAY SSR 4-CH HI-SIDE 28-SOIC

BZX84C5V1LT1G

BZX84C5V1LT1G

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DIODE ZENER 5.1V 225MW SOT23-3

LM2901M

LM2901M

ON Semiconductor

IC COMPARATOR QUAD 14-SOP

LT8610ABEMSE#TRPBF

LT8610ABEMSE#TRPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG BUCK ADJ 3.5A 16MSOP

EDF1DS-E3/77

EDF1DS-E3/77

Vishay Semiconductor Diodes Division

BRIDGE RECT 1PHASE 200V 1A DFS

LT1763CS8-3.3#PBF

LT1763CS8-3.3#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG LINEAR 3.3V 500MA 8SOIC

LT3012EFE#PBF

LT3012EFE#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG LIN POS ADJ 250MA 16TSSOP

74VHC14MTCX

74VHC14MTCX

ON Semiconductor

IC INVERTER SCHMITT 6CH 14TSSOP

SI9706DY-T1-E3

SI9706DY-T1-E3

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IC PCMCIA INTFACE SW 8SO

GCM1885C1H6R8BA16D

GCM1885C1H6R8BA16D

Murata

CAP CER 6.8PF 50V C0G/NP0 0603