QSZ4TR
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| Teilenummer | QSZ4TR |
| PNEDA Teilenummer | QSZ4TR |
| Beschreibung | TRANS NPN/PNP 30V 2A 5TSMT |
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.826 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 18 - Nov 23 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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QSZ4TR Ressourcen
| Marke | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | QSZ4TR |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays |
| Datenblatt |
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QSZ4TR Technische Daten
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN, PNP (Emitter Coupled) |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 2A |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 30V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 370mV @ 75mA, 1.5A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 270 @ 200mA, 2V |
| Leistung - max | 1.25W |
| Frequenz - Übergang | 280MHz |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 |
| Lieferantengerätepaket | TSMT5 |
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Hersteller Panasonic Electronic Components Serie - Transistortyp NPN, PNP (Emitter Coupled) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 30mA, 300mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 85 @ 150mA, 10V Leistung - max 300mW Frequenz - Übergang 200MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-74A, SOT-753 Lieferantengerätepaket Mini5-G1 |
