QS6J1TR
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| Teilenummer | QS6J1TR |
| PNEDA Teilenummer | QS6J1TR |
| Beschreibung | MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6 |
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.546 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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QS6J1TR Ressourcen
| Marke | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | QS6J1TR |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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QS6J1TR Technische Daten
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 P-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 1.5A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 215mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 270pF @ 10V |
| Leistung - max | 1.25W |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Lieferantengerätepaket | TSMT6 (SC-95) |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 2.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.4nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 920pF @ 15V Leistung - max 500mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-UDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket 6-UDFN (2x2) |
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