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QS5Y1TR

QS5Y1TR

Nur als Referenz

Teilenummer QS5Y1TR
PNEDA Teilenummer QS5Y1TR
Beschreibung TRANS NPN/PNP 30V 3A TSMT5
Hersteller Rohm Semiconductor
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Auf Lager 2.970
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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QS5Y1TR Ressourcen

Marke Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerQS5Y1TR
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
Datenblatt
QS5Y1TR, QS5Y1TR Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 1.384,23 KB)
PDFQS5Y1TR Datenblatt Cover
QS5Y1TR Datenblatt Seite 2 QS5Y1TR Datenblatt Seite 3 QS5Y1TR Datenblatt Seite 4 QS5Y1TR Datenblatt Seite 5 QS5Y1TR Datenblatt Seite 6 QS5Y1TR Datenblatt Seite 7 QS5Y1TR Datenblatt Seite 8

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QS5Y1TR Technische Daten

HerstellerRohm Semiconductor
Serie-
TransistortypNPN, PNP (Emitter Coupled)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)3A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)30V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic400mV @ 50mA, 1A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)1µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce200 @ 500mA, 2V
Leistung - max1.25W
Frequenz - Übergang300MHz, 270MHz
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
LieferantengerätepaketTSMT5

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN, PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

45V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

650mV @ 5mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

15nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

200 @ 2mA, 5V

Leistung - max

250mW

Frequenz - Übergang

250MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

PG-SOT363-6

SMBT3904UPNE6327HTSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN, PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 5mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 1V

Leistung - max

330mW

Frequenz - Übergang

250MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-74, SOT-457

Lieferantengerätepaket

PG-SC74-6

ZDT6702TC

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

NPN, PNP Darlington (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1.75A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.28V @ 2mA, 1.75A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

5000 @ 500mA, 5V / 2000 @ 500mA, 5V

Leistung - max

2.75W

Frequenz - Übergang

140MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-223-8

Lieferantengerätepaket

SM8

DMMT3906WQ-7-F

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

Transistortyp

2 PNP (Dual) Matched Pair

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 5mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 1V

Leistung - max

200mW

Frequenz - Übergang

250MHz

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SOT-363

ZXTD09N50DE6TA

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

270mV @ 50mA, 1A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

200 @ 500mA, 2V

Leistung - max

1.1W

Frequenz - Übergang

215MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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