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QS5W1TR

QS5W1TR

Nur als Referenz

Teilenummer QS5W1TR
PNEDA Teilenummer QS5W1TR
Beschreibung TRANS 2NPN 30V 3A TSMT5
Hersteller Rohm Semiconductor
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Auf Lager 3.312
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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QS5W1TR Ressourcen

Marke Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerQS5W1TR
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
Datenblatt
QS5W1TR, QS5W1TR Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 1.339,14 KB)
PDFQS5W1TR Datenblatt Cover
QS5W1TR Datenblatt Seite 2 QS5W1TR Datenblatt Seite 3 QS5W1TR Datenblatt Seite 4 QS5W1TR Datenblatt Seite 5 QS5W1TR Datenblatt Seite 6

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QS5W1TR Technische Daten

HerstellerRohm Semiconductor
Serie-
Transistortyp2 NPN (Dual) Common Emitter
Strom - Kollektor (Ic) (max.)3A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)30V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic400mV @ 50mA, 1A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)1µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce200 @ 500mA, 2V
Leistung - max1.25W
Frequenz - Übergang270MHz
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
LieferantengerätepaketTSMT5

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Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual) Matched Pair, Common Emitter

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 10mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 2mA, 6V

Leistung - max

300mW

Frequenz - Übergang

80MHz

Betriebstemperatur

125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-74A, SOT-753

Lieferantengerätepaket

SMV

ULN2001D1013TR

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

7 NPN Darlington

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

1000 @ 350mA, 2V

Leistung - max

-

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

16-SO

HBDM60V600W-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

NPN, PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA, 600mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

65V, 60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 50mA, 500mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 100mA, 1V / 100 @ 150mA, 10V

Leistung - max

200mW

Frequenz - Übergang

100MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SOT-363

PBSS4041SN,115

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

6.7A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

350mV @ 350mA, 7A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

150 @ 4A, 2V

Leistung - max

2.3W

Frequenz - Übergang

130MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

MD984

Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Transistortyp

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Leistung - max

-

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-78-6 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-78-6

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