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QID1210006

QID1210006

Nur als Referenz

Teilenummer QID1210006
PNEDA Teilenummer QID1210006
Beschreibung MOD IGBT 1200V 100A SPLIT SI/SIC
Hersteller Powerex Inc.
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Auf Lager 2.448
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QID1210006 Ressourcen

Marke Powerex Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerQID1210006
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
QID1210006, QID1210006 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 559,93 KB)
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QID1210006 Technische Daten

HerstellerPowerex Inc.
Serie-
IGBT-Typ-
Konfiguration2 Independent
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100A
Leistung - max570W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic6.5V @ 15V, 100A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce16nF @ 10V
EingabeStandard
NTC-ThermistorNo
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
Montagetyp-
Paket / Fall-
Lieferantengerätepaket-

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Powerex Inc.

Hersteller

Powerex Inc.

Serie

IGBTMOD™

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

410A

Leistung - max

3330W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.25V @ 15V, 450A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

45nF @ 10V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

BSM20GP60BOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35A

Leistung - max

130W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.35V @ 15V, 10A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

1.1nF @ 25V

Eingabe

Three Phase Bridge Rectifier

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

VS-GB75TP120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

105A

Leistung - max

500W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 75A (Typ)

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

2mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

4.3nF @ 30V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

INT-A-PAK (3 + 4)

Lieferantengerätepaket

INT-A-PAK

FF400R17KE4HOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

C

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

400A

Leistung - max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 400A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

36nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

VS-GA250SA60S

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

400A

Leistung - max

961W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.66V @ 15V, 200A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

16.25nF @ 30V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SOT-227-4

Lieferantengerätepaket

SOT-227

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