QH8M22TCR
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| Teilenummer | QH8M22TCR |
| PNEDA Teilenummer | QH8M22TCR |
| Beschreibung | QH8M22 IS THE HIGH RELIABILITY T |
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 27.474 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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QH8M22TCR Ressourcen
| Marke | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | QH8M22TCR |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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QH8M22TCR Technische Daten
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | N and P-Channel |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 4.5A (Ta), 2A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 46mOhm @ 4.5A, 10V, 190mOhm @ 2A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 10µA, 3V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.6nC, 9.5nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 193pF, 450pF @ 20V |
| Leistung - max | 1.1W (Ta) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SMD, Flat Lead |
| Lieferantengerätepaket | TSMT8 |
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Hersteller STMicroelectronics Serie Automotive, AEC-Q101, STripFET™ III FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 20A Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20.5nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 970pF @ 25V Leistung - max 70W Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerVDFN Lieferantengerätepaket PowerFlat™ (5x6) |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - FET-Typ 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 70A Rds On (Max) @ Id, Vgs 21mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 200nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5100pF @ 25V Leistung - max 208W Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP6 Lieferantengerätepaket SP6-P |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4A Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.7nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 345pF @ 10V Leistung - max 1.2W Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket 8-EMH |
Hersteller Diodes Incorporated Serie Automotive, AEC-Q101 FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 48mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14.5nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1525pF @ 30V Leistung - max - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket PowerDI5060-8 |
Hersteller Vishay Siliconix Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 4.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.5nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max 830mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket 8-TSSOP |
