PZT751T1G
Nur als Referenz
| Teilenummer | PZT751T1G |
| PNEDA Teilenummer | PZT751T1G |
| Beschreibung | TRANS PNP 60V 2A SOT223 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 120.786 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 4 - Nov 9 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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PZT751T1G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | PZT751T1G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
| Datenblatt |
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PZT751T1G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Transistortyp | PNP |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 2A |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 60V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 200mA, 2A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 75 @ 1A, 2V |
| Leistung - max | 800mW |
| Frequenz - Übergang | 75MHz |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-261-4, TO-261AA |
| Lieferantengerätepaket | SOT-223 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/466 Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 5V @ 10A, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 5µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 30 @ 5A, 2V Leistung - max 300W Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-204AA, TO-3 Lieferantengerätepaket TO-204AA (TO-3) |
