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PVI5033RS-T

PVI5033RS-T

Nur als Referenz

Teilenummer PVI5033RS-T
PNEDA Teilenummer PVI5033RS-T
Beschreibung OPTOISO 3.75KV 2CH PHVOLT 8-SMT
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 7.938
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

PVI5033RS-T Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPVI5033RS-T
KategorieHalbleiterIsolatorenOptoisolatoren - Transistor, Photovoltaik-Ausgang

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PVI5033RS-T Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SeriePVI
Anzahl der Kanäle2
Spannungsisolation3750Vrms
Stromübertragungsverhältnis (min)-
Stromübertragungsverhältnis (max.)-
Ein- / Ausschaltzeit (Typ)2.5ms, 500µs (Max)
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)-
EingabetypDC
AusgabetypPhotovoltaic
Spannung - Ausgang (max.)10V
Strom - Ausgang / Kanal5µA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)-
Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)40mA
Vce-Sättigung (max.)-
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SMD, Gull Wing
Lieferantengerätepaket8-SMD

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

5000Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

50% @ 1mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

100% @ 1mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

-

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor

Spannung - Ausgang (max.)

70V

Strom - Ausgang / Kanal

50mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.07V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

-

Vce-Sättigung (max.)

400mV

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SMD, Gull Wing

Lieferantengerätepaket

8-SMD

TLP785(GB,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

5000Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

100% @ 5mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

600% @ 5mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

3µs, 3µs

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

2µs, 3µs

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor

Spannung - Ausgang (max.)

80V

Strom - Ausgang / Kanal

50mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.15V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

60mA

Vce-Sättigung (max.)

400mV

Betriebstemperatur

-55°C ~ 110°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

4-DIP

5962-9800201KEC

Broadcom

Hersteller

Broadcom Limited

Serie

-

Anzahl der Kanäle

4

Spannungsisolation

1500VDC

Stromübertragungsverhältnis (min)

200% @ 5mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

-

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

2µs, 8µs

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

-

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Darlington

Spannung - Ausgang (max.)

20V

Strom - Ausgang / Kanal

40mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.4V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

10mA

Vce-Sättigung (max.)

110mV

Betriebstemperatur

-55°C ~ 125°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

16-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

16-DIP

EL3H7(E)-G

Everlight Electronics Co Ltd

Hersteller

Everlight Electronics Co Ltd

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

3750Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

100% @ 5mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

200% @ 5mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

5µs, 3µs

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor

Spannung - Ausgang (max.)

80V

Strom - Ausgang / Kanal

50mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.2V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

50mA

Vce-Sättigung (max.)

200mV

Betriebstemperatur

-55°C ~ 110°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

4-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

4-SSOP

LTV-844

Lite-On Inc.

Hersteller

Lite-On Inc.

Serie

-

Anzahl der Kanäle

4

Spannungsisolation

5000Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

20% @ 1mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

300% @ 1mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

4µs, 3µs

Eingabetyp

AC, DC

Ausgabetyp

Transistor

Spannung - Ausgang (max.)

35V

Strom - Ausgang / Kanal

50mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.2V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

50mA

Vce-Sättigung (max.)

200mV

Betriebstemperatur

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