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PUMB24,115

PUMB24,115

Nur als Referenz

Teilenummer PUMB24,115
PNEDA Teilenummer PUMB24-115
Beschreibung TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6TSSOP
Hersteller Nexperia
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Auf Lager 7.596
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

PUMB24 Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPUMB24,115
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt
Datenblatt
PUMB24, PUMB24 Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 189,91 KB)
PDFPEMB24 Datenblatt Cover
PEMB24 Datenblatt Seite 2 PEMB24 Datenblatt Seite 3 PEMB24 Datenblatt Seite 4 PEMB24 Datenblatt Seite 5 PEMB24 Datenblatt Seite 6 PEMB24 Datenblatt Seite 7 PEMB24 Datenblatt Seite 8 PEMB24 Datenblatt Seite 9 PEMB24 Datenblatt Seite 10 PEMB24 Datenblatt Seite 11

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PUMB24 Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
Serie-
Transistortyp2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)20mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)50V
Widerstand - Basis (R1)100kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2)100kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce80 @ 5mA, 5V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic150mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)1µA
Frequenz - Übergang-
Leistung - max300mW
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Lieferantengerätepaket6-TSSOP

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

1 NPN Pre-Biased, 1 PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA, 500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V, 12V

Widerstand - Basis (R1)

10kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

10kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

250MHz, 280MHz

Leistung - max

300mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

SOT-563

PUMF11,115

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

1 NPN Pre-Biased, 1 PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V, 40V

Widerstand - Basis (R1)

22kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

47kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 5V / 120 @ 1mA, 6V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 10mA / 200mV @ 5mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1µA

Frequenz - Übergang

100MHz

Leistung - max

300mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

6-TSSOP

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

1 NPN Pre-Biased, 1 PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA, 500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V, 12V

Widerstand - Basis (R1)

47kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

47kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V / 270 @ 10mA, 2V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

-

Leistung - max

500mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

SOT-563

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

22kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

22kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 10V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

-

Leistung - max

187mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Serie

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Transistortyp

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

47kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

47kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

68 @ 5mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

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Leistung - max

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