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PUMB18,115

PUMB18,115

Nur als Referenz

Teilenummer PUMB18,115
PNEDA Teilenummer PUMB18-115
Beschreibung TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6TSSOP
Hersteller Nexperia
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Auf Lager 7.506
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 7 - Jan 12 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

PUMB18 Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPUMB18,115
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt
Datenblatt
PUMB18, PUMB18 Datenblatt (Total Pages: 15, Größe: 718,95 KB)
PDFPEMB18 Datenblatt Cover
PEMB18 Datenblatt Seite 2 PEMB18 Datenblatt Seite 3 PEMB18 Datenblatt Seite 4 PEMB18 Datenblatt Seite 5 PEMB18 Datenblatt Seite 6 PEMB18 Datenblatt Seite 7 PEMB18 Datenblatt Seite 8 PEMB18 Datenblatt Seite 9 PEMB18 Datenblatt Seite 10 PEMB18 Datenblatt Seite 11

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PUMB18 Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
Serie-
Transistortyp2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)50V
Widerstand - Basis (R1)4.7kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2)10kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce50 @ 10mA, 5V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic150mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)1µA
Frequenz - Übergang-
Leistung - max300mW
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Lieferantengerätepaket6-TSSOP

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

1 NPN Pre-Biased, 1 NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA, 500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V, 12V

Widerstand - Basis (R1)

10kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

10kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

250MHz, 320MHz

Leistung - max

150mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

EMT6

SMUN5114DW1T1G

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

10kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

47kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

-

Leistung - max

187mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SC-88/SC70-6/SOT-363

XN0411200L

Panasonic Electronic Components

Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Transistortyp

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

22kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

22kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 10V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

80MHz

Leistung - max

300mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6

Lieferantengerätepaket

MINI6-G1

FMG3AT148

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

4.7kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 250µA, 5mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA (ICBO)

Frequenz - Übergang

250MHz

Leistung - max

300mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-74A, SOT-753

Lieferantengerätepaket

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XP0431200L

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Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Transistortyp

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

22kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

22kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 10V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

150MHz, 80MHz

Leistung - max

150mW

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