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PTFB211803FLV2R250XTMA1

PTFB211803FLV2R250XTMA1

Nur als Referenz

Teilenummer PTFB211803FLV2R250XTMA1
PNEDA Teilenummer PTFB211803FLV2R250XTMA1
Beschreibung IC AMP RF LDMOS
Hersteller Infineon Technologies
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

PTFB211803FLV2R250XTMA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPTFB211803FLV2R250XTMA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
PTFB211803FLV2R250XTMA1, PTFB211803FLV2R250XTMA1 Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 593,38 KB)
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PTFB211803FLV2R250XTMA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz2.17GHz
Gewinn17.5dB
Spannungstest30V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest1.3A
Leistung - Leistung40W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / Fall2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
LieferantengerätepaketH-34288-4/2

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Serie

-

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19.5dB

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Rauschzahl

-

Stromtest

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Leistung - Leistung

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Hersteller

Ampleon USA Inc.

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Frequenz

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Gewinn

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Spannungstest

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Rauschzahl

-

Stromtest

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Leistung - Leistung

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Spannung - Nennspannung

105V

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SOT1273-1

Hersteller

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Serie

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Frequenz

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Gewinn

20.9dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

2A

Leistung - Leistung

96W

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Broadcom Limited

Serie

-

Transistortyp

E-pHEMT

Frequenz

10GHz

Gewinn

9dB

Spannungstest

3V

Nennstrom (Ampere)

100mA

Rauschzahl

0.81dB

Stromtest

20mA

Leistung - Leistung

12dBm

Spannung - Nennspannung

5V

Paket / Fall

0402 (1005 Metric)

Lieferantengerätepaket

0402

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual), Common Source

Frequenz

2.61GHz

Gewinn

13.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

230mA

Leistung - Leistung

28W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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