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PTFB211803FLV2R250XTMA1

PTFB211803FLV2R250XTMA1

Nur als Referenz

Teilenummer PTFB211803FLV2R250XTMA1
PNEDA Teilenummer PTFB211803FLV2R250XTMA1
Beschreibung IC AMP RF LDMOS
Hersteller Infineon Technologies
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

PTFB211803FLV2R250XTMA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPTFB211803FLV2R250XTMA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
PTFB211803FLV2R250XTMA1, PTFB211803FLV2R250XTMA1 Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 593,38 KB)
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PTFB211803FLV2R250XTMA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz2.17GHz
Gewinn17.5dB
Spannungstest30V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest1.3A
Leistung - Leistung40W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / Fall2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
LieferantengerätepaketH-34288-4/2

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Gewinn

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2dB

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240mA

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Spannungstest

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Nennstrom (Ampere)

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Rauschzahl

-

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115mA

Leistung - Leistung

102W

Spannung - Nennspannung

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Hersteller

Infineon Technologies

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Frequenz

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Gewinn

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28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

230mA

Leistung - Leistung

28W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

H-37248-4

Lieferantengerätepaket

H-37248-4

MRFG35010

NXP

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

pHEMT FET

Frequenz

3.55GHz

Gewinn

10dB

Spannungstest

12V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

130mA

Leistung - Leistung

9W

Spannung - Nennspannung

15V

Paket / Fall

NI-360HF

Lieferantengerätepaket

NI-360HF

BLF8G10LS-300PU

Ampleon

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual), Common Source

Frequenz

760.5MHz ~ 800.5MHz

Gewinn

20.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

2A

Leistung - Leistung

65W

Spannung - Nennspannung

65V

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