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PTFB210801FA-V1-R250

PTFB210801FA-V1-R250

Nur als Referenz

Teilenummer PTFB210801FA-V1-R250
PNEDA Teilenummer PTFB210801FA-V1-R250
Beschreibung FET RF LDMOS 80W H37265-2
Hersteller Cree/Wolfspeed
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Auf Lager 8.280
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

PTFB210801FA-V1-R250 Ressourcen

Marke Cree/Wolfspeed
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPTFB210801FA-V1-R250
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF

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PTFB210801FA-V1-R250 Technische Daten

HerstellerCree/Wolfspeed
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz2.17GHz
Gewinn18.5dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest750mA
Leistung - Leistung20W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / Fall2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
LieferantengerätepaketH-37265-2

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-

Transistortyp

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Frequenz

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-

Rauschzahl

-

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100mA

Leistung - Leistung

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NI-1230-4S

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Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

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Gewinn

16.5dB

Spannungstest

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Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

400W

Spannung - Nennspannung

-

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Lieferantengerätepaket

SOT-1258-7

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Ampleon

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.11GHz ~ 2.17GHz

Gewinn

19dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

2A

Leistung - Leistung

55W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-502B

Lieferantengerätepaket

SOT502B

PTFA072401ELV4XWSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

765MHz

Gewinn

19dB

Spannungstest

30V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.8A

Leistung - Leistung

220W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

2-Flatpack, Fin Leads

Lieferantengerätepaket

H-33288-2

CGHV1J006D-GP4

Cree/Wolfspeed

Hersteller

Cree/Wolfspeed

Serie

GaN

Transistortyp

HEMT

Frequenz

18GHz

Gewinn

17dB

Spannungstest

40V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

30mA

Leistung - Leistung

6W

Spannung - Nennspannung

100V

Paket / Fall

Die

Lieferantengerätepaket

Die

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