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PTFB082817FHV1R250XTMA1

PTFB082817FHV1R250XTMA1

Nur als Referenz

Teilenummer PTFB082817FHV1R250XTMA1
PNEDA Teilenummer PTFB082817FHV1R250XTMA1
Beschreibung IC FET RF LDMOS H-34288
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 6.804
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

PTFB082817FHV1R250XTMA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPTFB082817FHV1R250XTMA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
PTFB082817FHV1R250XTMA1, PTFB082817FHV1R250XTMA1 Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 545,23 KB)
PDFPTFB082817FHV1XWSA1 Datenblatt Cover
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PTFB082817FHV1R250XTMA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz821MHz
Gewinn19.3dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest2.15A
Leistung - Leistung60W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / Fall2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
LieferantengerätepaketH-34288-4/2

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Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.45GHz

Gewinn

19dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.3A

Leistung - Leistung

140W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-502B

Lieferantengerätepaket

SOT502B

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

465MHz

Gewinn

21dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.25A

Leistung - Leistung

28W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-957A

Lieferantengerätepaket

NI-780H-2L

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.496GHz ~ 2.69GHz

Gewinn

15.5dB

Spannungstest

30V

Nennstrom (Ampere)

2.8µA

Rauschzahl

-

Stromtest

600mA

Leistung - Leistung

380W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-1258-7

Lieferantengerätepaket

SOT-1258-7

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

880MHz

Gewinn

20.8dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.4A

Leistung - Leistung

40W

Spannung - Nennspannung

66V

Paket / Fall

NI-780S

Lieferantengerätepaket

NI-780S

3SK292(TE85R,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

N-Channel Dual Gate

Frequenz

500MHz

Gewinn

26dB

Spannungstest

6V

Nennstrom (Ampere)

30mA

Rauschzahl

1.4dB

Stromtest

10mA

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

12.5V

Paket / Fall

SC-61AA

Lieferantengerätepaket

SMQ

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