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PTFA260851F V1 R250

PTFA260851F V1 R250

Nur als Referenz

Teilenummer PTFA260851F V1 R250
PNEDA Teilenummer PTFA260851F-V1-R250
Beschreibung IC FET RF LDMOS 85W H-31248-2
Hersteller Infineon Technologies
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PTFA260851F V1 R250 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPTFA260851F V1 R250
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
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PTFA260851F V1 R250 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz2.68GHz
Gewinn14dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)10µA
Rauschzahl-
Stromtest900mA
Leistung - Leistung85W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / Fall2-Flatpack, Fin Leads
LieferantengerätepaketH-31248-2

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Serie

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Transistortyp

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Spannungstest

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Rauschzahl

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Frequenz

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Gewinn

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Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

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Leistung - Leistung

28W

Spannung - Nennspannung

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

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Gewinn

24dB

Spannungstest

65V

Nennstrom (Ampere)

10µA

Rauschzahl

-

Stromtest

200mA

Leistung - Leistung

1800W

Spannung - Nennspannung

182V

Paket / Fall

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Ampleon

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2GHz

Gewinn

10dB

Spannungstest

26V

Nennstrom (Ampere)

4.5A

Rauschzahl

-

Stromtest

180mA

Leistung - Leistung

30W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT467C

Lieferantengerätepaket

SOT467C

ATF-34143-BLKG

Broadcom

Hersteller

Broadcom Limited

Serie

-

Transistortyp

pHEMT FET

Frequenz

2GHz

Gewinn

17.5dB

Spannungstest

4V

Nennstrom (Ampere)

145mA

Rauschzahl

0.5dB

Stromtest

60mA

Leistung - Leistung

20dBm

Spannung - Nennspannung

5.5V

Paket / Fall

SC-82A, SOT-343

Lieferantengerätepaket

SOT-343

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