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PTFA220081M-V4

PTFA220081M-V4

Nur als Referenz

Teilenummer PTFA220081M-V4
PNEDA Teilenummer PTFA220081M-V4
Beschreibung FET RF LDMOS 8W SON10
Hersteller Cree/Wolfspeed
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Auf Lager 4.158
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

PTFA220081M-V4 Ressourcen

Marke Cree/Wolfspeed
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPTFA220081M-V4
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
PTFA220081M-V4, PTFA220081M-V4 Datenblatt (Total Pages: 17, Größe: 654,61 KB)
PDFPTFA220081MV4S500XUMA1 Datenblatt Cover
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PTFA220081M-V4 Technische Daten

HerstellerCree/Wolfspeed
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz940MHz
Gewinn20.7dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest100mA
Leistung - Leistung8W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / Fall10-LDFN Exposed Pad
LieferantengerätepaketPG-SON-10

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Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

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Gewinn

11dB

Spannungstest

26V

Nennstrom (Ampere)

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Rauschzahl

-

Stromtest

85mA

Leistung - Leistung

10W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT467C

Lieferantengerätepaket

SOT467C

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.81GHz ~ 1.88GHz

Gewinn

15dB

Spannungstest

26V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

800mA

Leistung - Leistung

85W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI-780S

Lieferantengerätepaket

NI-780S

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.11GHz ~ 2.17GHz

Gewinn

13.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

15A

Rauschzahl

-

Stromtest

1.15A

Leistung - Leistung

33W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-502B

Lieferantengerätepaket

SOT502B

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

HEMT

Frequenz

3GHz

Gewinn

12dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

330mA

Leistung - Leistung

100W

Spannung - Nennspannung

150V

Paket / Fall

SOT467C

Lieferantengerätepaket

SOT467C

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

1.4GHz

Gewinn

17.7dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

500mA

Leistung - Leistung

1000W

Spannung - Nennspannung

105V

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

NI-1230-4S

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