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PTFA181001HL V1 R250

PTFA181001HL V1 R250

Nur als Referenz

Teilenummer PTFA181001HL V1 R250
PNEDA Teilenummer PTFA181001HL-V1-R250
Beschreibung IC FET RF LDMOS 100W PG-64248-2
Hersteller Infineon Technologies
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PTFA181001HL V1 R250 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPTFA181001HL V1 R250
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
PTFA181001HL V1 R250, PTFA181001HL V1 R250 Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 319,31 KB)
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PTFA181001HL V1 R250 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz1.88GHz
Gewinn16.5dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)1µA
Rauschzahl-
Stromtest750mA
Leistung - Leistung100W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / Fall2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
LieferantengerätepaketPG-64248-2

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Rauschzahl

2dB

Stromtest

-

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Frequenz

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Gewinn

21dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

4mA

Rauschzahl

-

Stromtest

800mA

Leistung - Leistung

600W

Spannung - Nennspannung

170V

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Hersteller

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Serie

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Transistortyp

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Frequenz

108MHz

Gewinn

22dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

18A

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

300W

Spannung - Nennspannung

125V

Paket / Fall

SOT-262A1

Lieferantengerätepaket

CDFM4

BF998E6327HTSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

N-Channel

Frequenz

45MHz

Gewinn

28dB

Spannungstest

8V

Nennstrom (Ampere)

30mA

Rauschzahl

2.8dB

Stromtest

10mA

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

12V

Paket / Fall

TO-253-4, TO-253AA

Lieferantengerätepaket

PG-SOT143-4

PTVA093002TCV1R250XTMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

Transistortyp

-

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

-

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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