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PTFA092213ELV4R250XTMA2

PTFA092213ELV4R250XTMA2

Nur als Referenz

Teilenummer PTFA092213ELV4R250XTMA2
PNEDA Teilenummer PTFA092213ELV4R250XTMA2
Beschreibung IC RF FET LDMOS H-33288-6
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 2.160
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

PTFA092213ELV4R250XTMA2 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPTFA092213ELV4R250XTMA2
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF

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PTFA092213ELV4R250XTMA2 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie*
Transistortyp-
Frequenz-
Gewinn-
Spannungstest-
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest-
Leistung - Leistung-
Spannung - Nennspannung-
Paket / Fall-
Lieferantengerätepaket-

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2GHz

Gewinn

11dB

Spannungstest

13.6V

Nennstrom (Ampere)

5A

Rauschzahl

-

Stromtest

150mA

Leistung - Leistung

10W

Spannung - Nennspannung

40V

Paket / Fall

PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads)

Lieferantengerätepaket

PowerSO-10RF (Straight Lead)

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.81GHz ~ 1.88GHz

Gewinn

14dB

Spannungstest

26V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

250mA

Leistung - Leistung

30W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI-400S

Lieferantengerätepaket

NI-400S

MRF377HR3

NXP

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

860MHz

Gewinn

18.2dB

Spannungstest

32V

Nennstrom (Ampere)

17A

Rauschzahl

-

Stromtest

2A

Leistung - Leistung

45W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI-860C3

Lieferantengerätepaket

NI-860C3

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.11GHz

Gewinn

16.7dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.5A

Leistung - Leistung

50W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI-780S

Lieferantengerätepaket

NI-780S

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

450MHz

Gewinn

20dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

150mA

Leistung - Leistung

1000W

Spannung - Nennspannung

110V

Paket / Fall

NI-1230S

Lieferantengerätepaket

NI-1230S

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