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PTFA091201FV4R250XTMA1

PTFA091201FV4R250XTMA1

Nur als Referenz

Teilenummer PTFA091201FV4R250XTMA1
PNEDA Teilenummer PTFA091201FV4R250XTMA1
Beschreibung IC FET RF LDMOS 120W H-37248-2
Hersteller Infineon Technologies
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PTFA091201FV4R250XTMA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPTFA091201FV4R250XTMA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
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PTFA091201FV4R250XTMA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz960MHz
Gewinn19dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)10µA
Rauschzahl-
Stromtest750mA
Leistung - Leistung110W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / Fall2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
LieferantengerätepaketH-37248-2

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

N-Channel

Frequenz

800MHz

Gewinn

23dB

Spannungstest

5V

Nennstrom (Ampere)

40mA

Rauschzahl

1.5dB

Stromtest

10mA

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

8V

Paket / Fall

TO-253-4, TO-253AA

Lieferantengerätepaket

PG-SOT143-4

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.11GHz ~ 2.17GHz

Gewinn

13dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

2.2A

Leistung - Leistung

52W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI-1230

Lieferantengerätepaket

NI-1230

PD57060STR-E

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

945MHz

Gewinn

14.3dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

7A

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

60W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

Lieferantengerätepaket

PowerSO-10RF (Straight Lead)

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2GHz ~ 2.2GHz

Gewinn

17.5dB

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

50W

Spannung - Nennspannung

-

Paket / Fall

SOT539A

Lieferantengerätepaket

SOT539A

MRF9210R5

NXP

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

880MHz

Gewinn

16.5dB

Spannungstest

26V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.9A

Leistung - Leistung

40W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI-860C3

Lieferantengerätepaket

NI-860C3

Kürzlich verkauft

BAT54C-7-F

BAT54C-7-F

Diodes Incorporated

DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT23-3

FBMH1608HM600-T

FBMH1608HM600-T

Taiyo Yuden

FERRITE BEAD 60 OHM 0603 1LN

HLMP-P205-F0031

HLMP-P205-F0031

Broadcom

LED RED CLEAR Z-BEND SMD

MB96F356RWBPMC-GSE2

MB96F356RWBPMC-GSE2

Cypress Semiconductor

IC MCU 16BIT 288KB FLASH 64LQFP

M29W200BB70N1

M29W200BB70N1

Micron Technology Inc.

IC FLASH 2M PARALLEL 48TSOP

SI4410DYPBF

SI4410DYPBF

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MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC

MAX3094EEUE+

MAX3094EEUE+

Maxim Integrated

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STM32F103C8T6

STM32F103C8T6

STMicroelectronics

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MCP4822-E/MS

MCP4822-E/MS

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