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PTFA043002E V1

PTFA043002E V1

Nur als Referenz

Teilenummer PTFA043002E V1
PNEDA Teilenummer PTFA043002E-V1
Beschreibung IC FET RF LDMOS 300W H-30275-4
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 3.418
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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PTFA043002E V1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPTFA043002E V1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
PTFA043002E V1, PTFA043002E V1 Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 299,28 KB)
PDFPTFA043002E V1 Datenblatt Cover
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PTFA043002E V1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz800MHz
Gewinn16dB
Spannungstest32V
Nennstrom (Ampere)10µA
Rauschzahl-
Stromtest1.55A
Leistung - Leistung100W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / Fall2-Flatpack, Fin Leads
LieferantengerätepaketH-30275-4

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-

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.3GHz ~ 2.4GHz

Gewinn

15.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

10µA

Rauschzahl

-

Stromtest

500mA

Leistung - Leistung

51W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

ACP-1230S-4L2S

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.17GHz

Gewinn

13.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

10W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI-360S

Lieferantengerätepaket

NI-360S

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Cree/Wolfspeed

Hersteller

Cree/Wolfspeed

Serie

*

Transistortyp

-

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.99GHz

Gewinn

14dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.4A

Leistung - Leistung

32W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

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