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PTFA043002E V1

PTFA043002E V1

Nur als Referenz

Teilenummer PTFA043002E V1
PNEDA Teilenummer PTFA043002E-V1
Beschreibung IC FET RF LDMOS 300W H-30275-4
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 3.418
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PTFA043002E V1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPTFA043002E V1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
PTFA043002E V1, PTFA043002E V1 Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 299,28 KB)
PDFPTFA043002E V1 Datenblatt Cover
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PTFA043002E V1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz800MHz
Gewinn16dB
Spannungstest32V
Nennstrom (Ampere)10µA
Rauschzahl-
Stromtest1.55A
Leistung - Leistung100W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / Fall2-Flatpack, Fin Leads
LieferantengerätepaketH-30275-4

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Rauschzahl

-

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Paket / Fall

440223

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440223

PTFA212001F/1 P4

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.14GHz

Gewinn

15.8dB

Spannungstest

30V

Nennstrom (Ampere)

10µA

Rauschzahl

-

Stromtest

1.6A

Leistung - Leistung

50W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

MESFET Dual Gate

Frequenz

800MHz

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

40mA

Rauschzahl

2dB

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

7V

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SOT-143R

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Cree/Wolfspeed

Hersteller

Cree/Wolfspeed

Serie

GaN

Transistortyp

HEMT

Frequenz

960MHz ~ 1.215GHz

Gewinn

20dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

890W

Spannung - Nennspannung

125V

Paket / Fall

SOT-957A

Lieferantengerätepaket

H-36248-2

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.99GHz

Gewinn

14dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.4A

Leistung - Leistung

32W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

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