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PTF210451E V1

PTF210451E V1

Nur als Referenz

Teilenummer PTF210451E V1
PNEDA Teilenummer PTF210451E-V1
Beschreibung IC FET RF LDMOS 45W H-30265-2
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 8.568
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 24 - Nov 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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PTF210451E V1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPTF210451E V1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
PTF210451E V1, PTF210451E V1 Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 257,34 KB)
PDFPTF210451F V1 Datenblatt Cover
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PTF210451E V1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieGOLDMOS®
TransistortypLDMOS
Frequenz2.17GHz
Gewinn14dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)1µA
Rauschzahl-
Stromtest500mA
Leistung - Leistung45W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / Fall2-Flatpack, Fin Leads
LieferantengerätepaketH-30265-2

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Paket / Fall

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Hersteller

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Serie

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Transistortyp

LDMOS

Frequenz

175MHz

Gewinn

14.5dB

Spannungstest

12.5V

Nennstrom (Ampere)

12A

Rauschzahl

-

Stromtest

500mA

Leistung - Leistung

50W

Spannung - Nennspannung

40V

Paket / Fall

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

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Transistortyp

N-Channel Dual Gate

Frequenz

400MHz

Gewinn

29dB

Spannungstest

5V

Nennstrom (Ampere)

30mA

Rauschzahl

0.9dB

Stromtest

15mA

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

6V

Paket / Fall

SC-82A, SOT-343

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

-

Frequenz

-

Gewinn

-

Spannungstest

-

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

N-Channel

Frequenz

470MHz

Gewinn

11.5dB

Spannungstest

6V

Nennstrom (Ampere)

3A

Rauschzahl

-

Stromtest

250mA

Leistung - Leistung

36.5dBmW

Spannung - Nennspannung

12V

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

SC-70

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