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PTAC260302FCV1XWSA1

PTAC260302FCV1XWSA1

Nur als Referenz

Teilenummer PTAC260302FCV1XWSA1
PNEDA Teilenummer PTAC260302FCV1XWSA1
Beschreibung IC AMP RF LDMOS
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 3.580
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

PTAC260302FCV1XWSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPTAC260302FCV1XWSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF

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PTAC260302FCV1XWSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie*
Transistortyp-
Frequenz-
Gewinn-
Spannungstest-
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest-
Leistung - Leistung-
Spannung - Nennspannung-
Paket / Fall-
Lieferantengerätepaket-

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual), Common Source

Frequenz

2.02GHz

Gewinn

14.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

10.2A

Rauschzahl

-

Stromtest

170mA

Leistung - Leistung

8W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-1130B

Lieferantengerätepaket

CDFM4

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.805GHz ~ 2GHz

Gewinn

20dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

1.4µA

Rauschzahl

-

Stromtest

860mA

Leistung - Leistung

38W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT1275-1

Lieferantengerätepaket

SOT-1275-1

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.14GHz

Gewinn

19.1dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.2A

Leistung - Leistung

50W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI-780GS-2

Lieferantengerätepaket

NI-780GS-2

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.03GHz

Gewinn

20.3dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

100mA

Leistung - Leistung

275W

Spannung - Nennspannung

100V

Paket / Fall

NI-780S

Lieferantengerätepaket

NI-780S

ATF-531P8-TR2

Broadcom

Hersteller

Broadcom Limited

Serie

-

Transistortyp

E-pHEMT

Frequenz

2GHz

Gewinn

20dB

Spannungstest

4V

Nennstrom (Ampere)

300mA

Rauschzahl

0.6dB

Stromtest

135mA

Leistung - Leistung

24.5dBm

Spannung - Nennspannung

7V

Paket / Fall

8-WFDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-LPCC (2x2)

Kürzlich verkauft

ADP5054ACPZ-R7

ADP5054ACPZ-R7

Analog Devices

IC REG CTRLR BUCK 48LFCSP

ADUM1402BRWZ

ADUM1402BRWZ

Analog Devices

DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC

MMBD7000LT1G

MMBD7000LT1G

ON Semiconductor

DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT23

M28W160CT70N6E

M28W160CT70N6E

Micron Technology Inc.

IC FLASH 16M PARALLEL 48TSOP

NTJD4001NT1G

NTJD4001NT1G

ON Semiconductor

MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SOT-363

BAT54AWT1G

BAT54AWT1G

ON Semiconductor

DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT323

SD4933MR

SD4933MR

STMicroelectronics

TRANSISTOR RF MOSFET N-CH M177

AD7793BRUZ

AD7793BRUZ

Analog Devices

IC ADC 24BIT SIGMA-DELTA 16TSSOP

SRN8040TA-100M

SRN8040TA-100M

Bourns

FIXED IND 10UH 4.6A 33 MOHM SMD

BZT52C22-7-F

BZT52C22-7-F

Diodes Incorporated

DIODE ZENER 22V 500MW SOD123

AD5934YRSZ

AD5934YRSZ

Analog Devices

IC DDS 16.776MHZ 12BIT 16SSOP

PVG612ASPBF

PVG612ASPBF

Infineon Technologies

SSR RELAY SPST-NO 2A 0-60V