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PSMN7R0-100XS,127

PSMN7R0-100XS,127

Nur als Referenz

Teilenummer PSMN7R0-100XS,127
PNEDA Teilenummer PSMN7R0-100XS-127
Beschreibung MOSFET N-CH 100V 55A TO220F
Hersteller NXP
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PSMN7R0-100XS Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPSMN7R0-100XS,127
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
PSMN7R0-100XS, PSMN7R0-100XS Datenblatt (Total Pages: 16, Größe: 356,28 KB)
PDFPSMN7R0-100XS Datenblatt Cover
PSMN7R0-100XS Datenblatt Seite 2 PSMN7R0-100XS Datenblatt Seite 3 PSMN7R0-100XS Datenblatt Seite 4 PSMN7R0-100XS Datenblatt Seite 5 PSMN7R0-100XS Datenblatt Seite 6 PSMN7R0-100XS Datenblatt Seite 7 PSMN7R0-100XS Datenblatt Seite 8 PSMN7R0-100XS Datenblatt Seite 9 PSMN7R0-100XS Datenblatt Seite 10 PSMN7R0-100XS Datenblatt Seite 11

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PSMN7R0-100XS Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.55A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs6.8mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs121nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds6686pF @ 50V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)57.7W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-220F
Paket / FallTO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

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AUIRF3004WL

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

240A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.4mOhm @ 195A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

210nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

9450pF @ 32V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

375W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-262-3 Wide

Paket / Fall

TO-262-3 Wide Leads

UPA2793GR(0)-E2-AY

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

FET-Typ

-

Technologie

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Lieferantengerätepaket

-

Paket / Fall

-

AOB15S60L

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

aMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

15A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

290mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.8V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15.6nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

717pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

208W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-263 (D²Pak)

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

FDS86242

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

150V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.1A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

67mOhm @ 4.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

760pF @ 75V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta), 5W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

FDPF8N50NZT

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

UniFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

850mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V

Vgs (Max)

±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7360pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

40.3W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220F

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

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