Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

PSMN7R0-100BS,118

PSMN7R0-100BS,118

Nur als Referenz

Teilenummer PSMN7R0-100BS,118
PNEDA Teilenummer PSMN7R0-100BS-118
Beschreibung MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
Hersteller Nexperia
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 25.218
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Apr 15 - Apr 20 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

PSMN7R0-100BS Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPSMN7R0-100BS,118
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
PSMN7R0-100BS, PSMN7R0-100BS Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 971,02 KB)
PDFPSMN7R0-100BS Datenblatt Cover
PSMN7R0-100BS Datenblatt Seite 2 PSMN7R0-100BS Datenblatt Seite 3 PSMN7R0-100BS Datenblatt Seite 4 PSMN7R0-100BS Datenblatt Seite 5 PSMN7R0-100BS Datenblatt Seite 6 PSMN7R0-100BS Datenblatt Seite 7 PSMN7R0-100BS Datenblatt Seite 8 PSMN7R0-100BS Datenblatt Seite 9 PSMN7R0-100BS Datenblatt Seite 10 PSMN7R0-100BS Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • PSMN7R0-100BS,118 Datasheet
  • where to find PSMN7R0-100BS,118
  • Nexperia

  • Nexperia PSMN7R0-100BS,118
  • PSMN7R0-100BS,118 PDF Datasheet
  • PSMN7R0-100BS,118 Stock

  • PSMN7R0-100BS,118 Pinout
  • Datasheet PSMN7R0-100BS,118
  • PSMN7R0-100BS,118 Supplier

  • Nexperia Distributor
  • PSMN7R0-100BS,118 Price
  • PSMN7R0-100BS,118 Distributor

PSMN7R0-100BS Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs6.8mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs125nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds6686pF @ 50V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)269W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketD2PAK
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

DMP32D4SFB-7B

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

400mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.4Ohm @ 200mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.3nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

51pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

500mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

3-DFN1006 (1.0x0.6)

Paket / Fall

3-UFDFN

IXFX150N15

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

150V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

150A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12.5mOhm @ 75A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 8mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

360nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

9100pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

560W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PLUS247™-3

Paket / Fall

TO-247-3

SIHJ690N60E-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

E

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.6A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

700mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

347pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

48W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SO-8

Paket / Fall

PowerPAK® SO-8

PSMN038-100K,518

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

38mOhm @ 5.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

43nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1740pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.5W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-SO

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

IRFR9220TR

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.6A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 2.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

340pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta), 42W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D-Pak

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Kürzlich verkauft

SBR05U20LPS-7

SBR05U20LPS-7

Diodes Incorporated

DIODE SBR 20V 500MA 2DFN

0452007.MRL

0452007.MRL

Littelfuse

FUSE BRD MNT 7A 72VAC 60VDC 2SMD

L5973ADTR

L5973ADTR

STMicroelectronics

IC REG BUCK ADJUSTABLE 2A 8HSOP

CPDU24V0U-HF

CPDU24V0U-HF

Comchip Technology

TVS DIODE 24V 50V 0603/SOD523F

MIC2026-1YM

MIC2026-1YM

Microchip Technology

IC PW DIST SW DUAL 8SOIC

JAN2N3501

JAN2N3501

Microsemi

TRANS NPN 150V 0.3A

11R472C

11R472C

Murata Power Solutions

FIXED IND 4.7UH 1.3A 90 MOHM TH

BYV26C-TAP

BYV26C-TAP

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE AVALANCHE 600V 1A SOD57

TLP116A(TPL,E

TLP116A(TPL,E

Toshiba Semiconductor and Storage

OPTOISO 3.75KV PUSH PULL SO6-5

564R60GAT22

564R60GAT22

Vishay Cera-Mite

CAP CER 220PF 6KV X5F RADIAL

742792410

742792410

Wurth Electronics

FERRITE BEAD 60 OHM 1806 1LN

0001.2536

0001.2536

Schurter

FUSE CER 16A 250VAC 63VDC 3AB