PSMN5R9-30YL,115
Nur als Referenz
| Teilenummer | PSMN5R9-30YL,115 |
| PNEDA Teilenummer | PSMN5R9-30YL-115 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 30V 78A LFPAK |
| Hersteller | NXP |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.472 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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PSMN5R9-30YL Ressourcen
| Marke | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | PSMN5R9-30YL,115 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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PSMN5R9-30YL Technische Daten
| Hersteller | NXP USA Inc. |
| Serie | TrenchMOS™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 78A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.1mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.15V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21.3nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1226pF @ 15V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 63W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | LFPAK56, Power-SO8 |
| Paket / Fall | SC-100, SOT-669 |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 2.1A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 3.6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 4.5V Vgs (Max) ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 300pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 700mW (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SOT-23-3 (TO-236) Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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