PSMN5R0-100XS,127
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| Teilenummer | PSMN5R0-100XS,127 |
| PNEDA Teilenummer | PSMN5R0-100XS-127 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 100V 67.5A TO-220F |
| Hersteller | NXP |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.356 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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PSMN5R0-100XS Ressourcen
| Marke | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | PSMN5R0-100XS,127 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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PSMN5R0-100XS Technische Daten
| Hersteller | NXP USA Inc. |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 67.5A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5mOhm @ 15A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 153nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 9900pF @ 50V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 63.8W (Tc) |
| Betriebstemperatur | - |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220F |
| Paket / Fall | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
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Hersteller IXYS Serie HiPerFET™, PolarP2™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 10A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 6.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3030pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 380W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXFH) Paket / Fall TO-247-3 |
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