PSMN165-200K,518
Nur als Referenz
Teilenummer | PSMN165-200K,518 |
PNEDA Teilenummer | PSMN165-200K-518 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 200V 2.9A SOT96-1 |
Hersteller | Nexperia |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 3.114 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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PSMN165-200K Ressourcen
Marke | Nexperia |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | PSMN165-200K,518 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt |
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PSMN165-200K Technische Daten
Hersteller | Nexperia USA Inc. |
Serie | TrenchMOS™ |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 2.9A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 165mOhm @ 2.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1330pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 3.5W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | 8-SO |
Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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